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元器件采购网 > S-452页 > FET - 阵列SI8901EDB-T2-E1

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SI8901EDB-T2-E1

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SI8901EDB-T2-E1参数
产品类别:分离式半导体产品-FET - 阵列
说明:MOSFET BIDIR P-CH 20V 2X3 6-MFP
包装数量:3000
包装形式:带卷 (TR)
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FET 型:2 个 P 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:60 毫欧 @ 1A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 350µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:-
输入电容 (Ciss) @ Vds:-
功率 - 最大:1W
安装类型:表面贴装

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